Алферов жорес иванович семья дети. Алферов Жорес: биография, личная жизнь, фото. Как все начиналось

Об утечке мозгов, зле капитализма и положении дел в нашей науке «АиФ» поговорил с академиком Жоресом Алфёровым , единственным ныне здравствующим - из проживающих на родине - российским лауреатом Нобелевской премии по физике.

Поклоняться не успеху, а знаниям

Дмитрий Писаренко, «АиФ»: Жорес Иванович, начну с неожиданного вопроса. Говорят, в этом году украинский сайт «Миротворец» включил вас в список неугодных для въезда на территорию Украины людей? А ведь у вас там брат похоронен.

Жорес Алфёров: Я не слышал об этом, надо будет выяснить. Но это странно… У меня есть фонд, из которого выплачиваются стипендии украинским школьникам села Комаривка Черкасской области. Недалеко, в братской могиле у деревни Хильки, действительно похоронен мой старший брат, который ушёл добровольцем на фронт и погиб во время Корсунь-Шевченковской операции.

Для всей планеты сейчас наступило чёрное время - время фашизма в самых разных формах.

​Жорес Алфёров

На Украине я раньше бывал каждый год, являюсь почётным гражданином Хильков и Комаривки. Последний раз приезжал туда в 2013 г. вместе с иностранными учёными. Нас очень тепло приняли. И мой американский коллега, нобелевский лауреат Роджер Корнберг , пообщавшись с местными жителями, воскликнул:

«Жорес, как вас можно было делить? Вы ведь один народ!».

То, что творится на Украине, ужасно. И на самом деле грозит гибелью всему человечеству. Для всей планеты сейчас наступило чёрное время - время фашизма в самых разных формах. На мой взгляд, это происходит потому, что уже нет такого могучего сдерживающего фактора, каким был Советский Союз.

Дмитрий Писаренко, «АиФ»: - Сдерживающего кого?

Жорес Алфёров: - Мировой капитализм. Знаете, я часто вспоминаю беседу с отцом моего старого друга профессора Ника Холоньяка , состоявшуюся в 1971 г., когда я приехал к ним в заброшенный шахтёрский городок возле Сент-Луиса. Он мне сказал:

«В начале ХХ в. мы жили и работали в ужасных условиях. Но после того, как русские рабочие устроили революцию, наши буржуи испугались и изменили свою социальную политику. Так что американские рабочие живут хорошо благодаря Октябрьской революции!».

Из того факта, что Советский Союз рухнул, вовсе не следует, что рыночная экономика эффективнее плановой.

​Жорес Алфёров

Дмитрий Писаренко, «АиФ»: - Нет ли здесь злой ухмылки истории? Ведь для нас самих этот грандиозный социальный эксперимент оказался неудачным.

Жорес Алфёров: - Одну секундочку. Да, он неудачно завершился из-за предательства нашей партийной верхушки, но сам-то эксперимент был успешным! Мы создали первое в истории государство социальной справедливости, у нас на практике был реализован этот принцип. В условиях враждебного капиталистического окружения, которое делало всё возможное, чтобы уничтожить нашу страну, когда мы были вынуждены тратиться на вооружения, на разработку той же атомной бомбы, мы вышли на второе место в мире по производству продуктов питания на душу населения!

Знаете, великий физик Альберт Эйнштейн в 1949 г. опубликовал статью «Почему социализм?» В ней он писал, что при капитализме «производство осуществляется в целях прибыли, а не потребления». Частная собственность на средства производства приводит к появлению олигархии, а результаты чужого труда отнимаются по закону, что оборачивается беззаконием. Вывод Эйнштейна: экономика должна быть плановой, а орудия и средства производства - общественными. Самым большим злом капитализма он считал «изувечивание личности», когда в системе образования учащихся вынуждают поклоняться успеху, а не знаниям. Не то же самое происходит и у нас сейчас?

Поймите, из того факта, что Советский Союз рухнул, вовсе не следует, что рыночная экономика эффективнее плановой. Но я вам лучше скажу о том, что знаю хорошо, - о науке. Посмотрите, где она у нас была раньше и где сейчас! Когда мы только начинали делать транзисторы, первый секретарь Ленинградского обкома партии лично приезжал к нам в лабораторию, сидел у нас, спрашивал: что нужно, чего не хватает? Я свои работы по полупроводниковым гетероструктурам, за которые мне потом дали Нобелевскую премию, сделал раньше американцев. Я обогнал их! Я приезжал в Штаты и читал им лекции, а не наоборот. И производство этих электронных компонентов мы начали раньше. Если бы не 90-е годы, айфоны и айпады сейчас выпускали бы у нас, а не в США.

Дмитрий Писаренко, «АиФ»: - А можем мы ещё начать делать подобные устройства? Или уже поздно, поезд ушёл?

Жорес Алфёров: - Только если мы создадим новые принципы их работы и сможем потом их развить. Американец Джек Килби , получивший Нобелевскую премию в том же году, что и я, заложил принципы кремниевых чипов в конце 1950-х. И они до сих пор остаются теми же. Да, сами методы развились, стали наномасштабными. Число транзисторов на чипе возросло на порядки, и мы уже подошли к их предельному значению. Возникает вопрос: что дальше? Очевидно, что надо идти в третье измерение, создавать объёмные чипы. Тот, кто освоит эту технологию, совершит рывок вперёд и сможет делать электронику будущего.

Сейчас работ уровня Нобелевской премии в области физики у нас просто нет.

​Жорес Алфёров

Дмитрий Писаренко, «АиФ»: - Среди нобелевских лауреатов этого года вновь не оказалось россиян. Стоит ли нам посыпать голову пеплом из-за этого? Или пора перестать обращать внимание на решения Нобелевского комитета?

Жорес Алфёров: - Нобелевский комитет нас никогда намеренно не обижал и не обходил стороной. Когда была возможность дать премию нашим физикам, им давали. Среди нобелевских лауреатов так много американцев просто потому, что наука в этой стране щедро финансируется и находится в сфере государственных интересов.

А что у нас? Последняя наша Нобелевская премия по физике была дана за работы, которые делались на Западе. Это исследования графена, проведённые Геймом и Новосёловым в Манчестере. А последняя премия, присуждённая за работы именно в нашей стране, дана Гинзбургу и Абрикосову в 2003 г., но сами эти работы (по сверхпроводимости) датируются 1950-ми годами. Мне дали премию за результаты, полученные в конце 1960-х.

Сейчас работ уровня Нобелевской премии в области физики у нас просто нет. А причина всё та же - невостребованность науки. Будет она востребована - появятся научные школы, а следом - и нобелевские лауреаты. Скажем, много нобелевских лауреатов вышло из фирмы «Белл телефон». Она вкладывала огромные средства в фундаментальные исследования, потому что видела в них перспективы. Отсюда и премии.

Самая главная проблема российской науки, о чём я не устаю говорить - это невостребованность её результатов ни экономикой, ни обществом.

​Жорес Алфёров

Где нанотехнологии?

Дмитрий Писаренко, «АиФ»: - В этом году вокруг выборов президента РАН творилось что-то непонятное. Кандидаты брали самоотвод, выборы переносились с марта на сентябрь. Что это было? Говорят, Кремль навязывал Академии своего кандидата, но он не проходил по уставу, поскольку не являлся академиком?

Жорес Алфёров: - Мне трудно объяснить, почему кандидаты стали отказываться. Наверное, что-то такое действительно было. Видимо, им сказали, что надо отказаться.

Как проходили выборы в советское время? В Академию приезжал товарищ Суслов и говорил: «Мстислав Всеволодович Келдыш написал заявление с просьбой освободить его от обязанностей президента по состоянию здоровья. Вам выбирать, кто займёт эту должность. Но нам кажется, что хорошая кандидатура - Анатолий Петрович Александров . Мы не можем настаивать, мы просто высказываем своё мнение». И мы выбрали Анатолия Петровича, он был замечательным президентом.

Я считаю, что власти следует либо брать решение этого вопроса на себя (и делать так, как было при советской власти), либо отдать его на рассмотрение Академии. А играть в такие игры - худший вариант.

Дмитрий Писаренко, «АиФ»: - Ждёте после избрания нового президента перемен к лучшему?

Жорес Алфёров: - Хотелось бы, но это будет непросто. Мы выбрали вполне разумного президента. Сергеев - хороший физик. Правда, у него небольшой организационный опыт. Но хуже другое - он находится в очень тяжёлых условиях. В результате реформ по Академии уже нанесён ряд ударов.

Самая главная проблема российской науки, о чём я не устаю говорить, - это невостребованность её результатов для экономики и общества. Нужно, чтобы руководство страны наконец обратило внимание на эту проблему.

Дмитрий Писаренко, «АиФ»: - А как этого добиться? Вот вы в хороших отношениях с президентом Путиным. Он советуется с вами? Может, звонит домой? Бывает такое?

Жорес Алфёров: - Не бывает. (Долго молчит.) Сложный вопрос. Руководство страны должно, с одной стороны, понимать необходимость широкого развития науки и научных исследований. Ведь у нас наука часто совершала рывок прежде всего из-за её военных применений. Когда делали бомбу, нужно было создавать ракеты и электронику. А электроника затем нашла применение в гражданской сфере. Программа индустриализации тоже была широкой.

С другой стороны, власти надо поддерживать в первую очередь те научные направления, которые потянут за собой массу других вещей. Надо определить такие направления и вкладывать в них средства. Это высокотехнологичные отрасли - электроника, нанотехнологии, биотехнологии. Вложения в них будут беспроигрышными. Не будем забывать, что мы сильны программным обеспечением. И кадры ещё остались, не все уехали за границу.

Нужно создавать новую экономику, делать её высокотехнологичной.

​Жорес Алфёров

Дмитрий Писаренко, «АиФ»: - Надо ли возвращать учёных, добившихся успеха на Западе, о чём недавно говорил тот же Путин?

Жорес Алфёров: - Считаю, что не надо. Ради чего? Что, мы сами не можем вырастить талантливую молодёжь?

Дмитрий Писаренко, «АиФ»: - Ну как, приезжий получает «мегагрант» правительства, на эти деньги он открывает лабораторию, привлекает молодых специалистов, обучает их…

Жорес Алфёров: - …а потом линяет обратно! Я сам с таким столкнулся. Один обладатель «мегагранта» поработал у меня и слинял. Они ведь всё равно в России не останутся. Если учёный добился успеха где-то в другой стране, он, скорее всего, обзавёлся там семьёй, множеством связей. А если он там ничего не добился, то, спрашивается, зачем он нам тут нужен?

«Мегагранты» правительства нацелены на привлечение в науку людей среднего поколения. Их у нас сейчас действительно очень мало. Но я думаю, мы способны обучить их сами. Несколько моих ребят, окончив аспирантуру и магистратуру, возглавили такие лаборатории. И через пару лет стали этим самым средним поколением исследователей. И никуда уезжать не собираются! Потому что они другие, они тут выросли.

Дмитрий Писаренко, «АиФ»: - Пытаясь оценить достижения современной российской науки, люди часто спрашивают:

«Вот есть „Роснано“. А где пресловутые нанотехнологии?»

Жорес Алфёров: - Когда у нас будет настоящая электронная корпорация, тогда будут и нанотехнологии. Что в них понимает этот буржуй Чубайс , что он умеет? Только приватизировать и извлекать прибыль.

Я вам такой пример приведу. Первые светодиоды в мире появились у нас, в моей лаборатории. И компанию, которая была создана для возрождения производства светодиодов в России, именно Чубайс приватизировал и продал. И это вместо того, чтобы налаживать производство.

Что касается корпораций, им следует совместно с учёными определять нужные направления исследований. И закладывать средства на эти исследования в бюджет.

​Жорес Алфёров

Дмитрий Писаренко, «АиФ»: - Новый президент РАН предлагает взимать деньги на науку с сырьевых корпораций. Что думаете об этом?

Жорес Алфёров: - Просто приказывать сверху корпорациям выделять деньги на науку - не лучший путь. Главное - нужно создавать новую экономику, делать её высокотехнологичной. Путин назвал задачей бизнеса создание 25 млн рабочих мест в высокотехнологичном секторе к 2020 г., а я от себя добавлю: это также задачи науки и образования. Необходимо увеличивать бюджетные ассигнования на них.

Что касается корпораций, им следует совместно с учёными определять нужные направления исследований. И закладывать средства на эти исследования в бюджет. В СССР вместо госкорпораций были промышленные министерства. Будучи заинтересованными в наших результатах, они выделяли учёным деньги, когда видели, что из научных исследований может выйти что-то многообещающее для них. Заключали хоздоговора на большие суммы, давали нам своё оборудование. Так что механизм отработан.

Нужно сделать результаты научного труда востребованными. Хотя это и долгий путь.

В городе Витебске Белорусской ССР (ныне Белоруссия).

Имя получил в честь Жана Жореса, основателя газеты L"Humanite и лидера французской социалистической партии.

В 1952 году окончил факультет электронной техники Ленинградского электротехнического института имени В.И. Ульянова (ныне ‑ Санкт‑Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" имени В.И. Ульянова (Ленина).

В 1987‑2003 годах занимал должность директора института.

Доктор физико‑математических наук (1970). Член‑корреспондент Академии наук СССР (1972), академик (1979).

Специалист в области физики полупроводников , полупроводниковой и квантовой электроники.

Исследованиями Жореса Алферова фактически было создано новое направление — гетеропереходы в полупроводниках.

В 2000 г совместно с Гербертом Кремером удостоен Нобелевской премии по физике за фундаментальные работы, заложившие основы современных информационных технологий посредством создания полупроводниковых гетероструктур, используемых в cсверхвысокочастотной и оптической электронике.

Ученый ведет преподавательскую деятельность . С 1972 года — профессор, в 1973‑2004 годах был заведующим кафедрой оптоэлектроники Ленинградского электротехнического института (ныне Санкт‑Петербургского электротехнического университета).

С 1988 года — декан физико‑технического факультета Ленинградского политехнического института (ныне ‑ Санкт‑Петербургский государственный политехнический университет).

Является ректором Санкт‑Петербургского академического университета — научно‑образовательного центра нанотехнологий РАН.

С 1989 по 1992 год Жорес Алферов был народным депутатом СССР . С 1995 года — депутат Государственной Думы ФС РФ от фракции КПРФ, член Комитет ГД по науке и наукоемким технологиям.

Жорес Алферов награжден орденами "Знак почета" (1959), Трудового Красного Знамени (1975), Октябрьской Революции (1980), Ленина (1986), а также орденами России : "За заслуги перед Отечеством" III степени (1999), "За заслуги перед Отечеством" II степени (2000), "За заслуги перед Отечеством" I степени (2005), "За заслуги перед Отечеством" IV степени (2010).

Он был удостоен Ленинской премии (1972), Государственной премии СССР (1984), Государственной премии РФ (2001).

Он является лауреатом Премии имени А.Ф. Иоффе РАН (1996), Демидовской премии (1999), Международной энергетической премии "Глобальная энергия" (2005).

Ученый также удостоен наград других государств и является почетным членом ряда университетов и академий.

В феврале 2001 года Алферов учредил Фонд поддержки образования и науки (Алферовский фонд) с целью объединения интеллектуальных, финансовых и организационных усилий российских и зарубежных физических и юридических лиц для содействия развитию российской науки и образования.

Королевская академия наук Швеции опубликовала имена ученых, которым присуждалась Нобелевская премия по физике. Премии были удостоены Ж.И. Алферов (Россия) и Г. Кремер (США) за развитие полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной и оптоэлектроники. В публикуемой краткой биографической справке о лауреатах указывается высшее учебное заведение, которое окончил лауреат. Таким образом, весь мир узнал, что Нобелевский лауреат Жорес Иванович Алферов окончил Ленинградский электротехнический институт имени В.И. Ульянова (Ленина).

Ж.И. АЛФЕРОВ: СТУДЕНТ, ПРОФЕССОР - НОБЕЛЕВСКИЙ ЛАУРЕАТ

10 октября 2000 г. Королевская академия наук Швеции опубликовала имена ученых, которым присуждалась Нобелевская премия по физике. Премии были удостоены Ж.И. Алферов (Россия) и Г. Кремер (США) за развитие полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной и оптоэлектроники. В публикуемой краткой биографической справке о лауреатах указывается высшее учебное заведение, которое окончил лауреат. Таким образом, весь мир узнал, что Нобелевский лауреат Жорес Иванович Алферов окончил Ленинградский электротехнический институт имени В.И. Ульянова (Ленина).

Студент Жорес Алферов учился на факультете электронной техники и закончил его в 1952 г., получив диплом с отличием. Годы учебы Ж.И. Алферова в ЛЭТИ совпали с началом студенческого строительного движения. В 1949 г. он в составе студенческого отряда участвовал в строительстве Красноборской ГЭС - одной из первых сельских электростанций Ленинградской области.

Еще в студенческие годы Ж.И. Алферов начал свой путь в науке. Под руководством доцента кафедры основ электровакуумной техники Наталии Николаевны Созиной он занимался исследованиями полупроводниковых пленочных фотоэлементов. Его доклад на институтской конференции студенческого научного общества (СНО) в 1952 г. был признан лучшим, и за него он получил первую в своей жизни научную премию - поездку на строительство Волго-Донского канала. Несколько лет он являлся председателем СНО факультета электронной техники.

После окончания ЛЭТИ Ж.И. Алферов был направлен на работу в Ленинградский физико-технический институт и стал работать в лаборатории В.М. Тучкевича. Здесь при участии Ж.И. Алферова были разработаны первые советские транзисторы.

В начале 60-х годов Ж.И. Алферов начал заниматься проблемой гетеропереходов. Открытие Ж.И. Алферовым идеальных гетеропереходов и новых физических явлений -«сверхинжекции», электронного и оптического ограничения в гетероструктурах -позволило кардинально улучшить параметры большинства известных полупроводниковых приборов и создать принципиально новые, особенно перспективные для применения в оптической и квантовой электронике.

Своими открытиями Ж.И. Алферов заложил основы современной информационной техники, в основном через разработку быстрых транзисторов и лазеров. Созданные на базе исследований Ж.И. Алферова приборы и устройства буквально произвели научную и социальную революцию. Это лазеры, передающие информационные потоки посредством оптоволоконных сетей Интернета, это технологии, лежащие в основе мобильных телефонов, устройства, декорирующие товарные ярлыки, запись и воспроизведение информации CD-дисков и многое другое.

Под научным руководством Ж.И. Алферова были выполнены исследования солнечных элементов на основе гетероструктур, что привело к созданию фотоэлектрических преобразователей солнечного излучения в электрическую энергию, коэффициент полезного действия которых приблизился к теоретическому пределу. Они оказались незаменимыми для энергообеспечения космических станций, а в настоящее время рассматриваются как один из основных альтернативных источников энергии взамен убывающим запасам нефти и газа.

Благодаря фундаментальным работам Ж.И. Алферова были созданы светодиоды на гетероструктурах. Светодиоды белого света благодаря своей высокой надежности и эффективности рассматриваются как источники освещения нового типа и в ближайшем будущем заменят традиционные лампы накаливания, что будет сопровождаться гигантской экономией электроэнергии.

К числу научных направлений, которые активно развивает Ж.И. Алферов, относится разработка лазеров на основе квантовых точек. Использование массивов таких квантовых точек позволяет снизить электропотребление лазеров, а также повысить стабильность их характеристик при увеличении температуры. Первый в мире лазер на квантовых точках создан группой ученых, работающих под руководством Ж.И. Алферова. Характеристики этих приборов постоянно улучшаются, и сегодня они по многим показателям превосходят все типы полупроводниковых лазеров.

Академик Ж.И. Алферов прекрасно понимает, что наука и образование неразделимы. Поэтому он целенаправленно формирует систему подготовки научных кадров по новейшим направлениям науки и техники, основанную на широком привлечении к учебному процессу академических институтов и ведущих ученых РАН.

В 1973 г. академик Ж.И. Алферов, используя непрекращающуюся тесную связь с ЛЭТИ, создает и возглавляет на своем родном факультете электронной техники первую в стране базовую кафедру в ФТИ им. А.Ф. Иоффе, преподавателями которой становятся известные ученые. Система подготовки научных кадров на базовой кафедре дала прекрасные результаты. Когда в 2003 г. отмечалось тридцатилетие кафедры, то были приведены следующие данные. За 30 лет кафедра выпустила около шестисот высококвалифицированных специалистов, подавляющее большинство которых стало работать в ФТИ им. А.Ф. Иоффе. Более четырехсот человек защитили кандидатские диссертации, свыше тридцати - докторские, а Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов и А.Е. Жуков стали членами-корреспондентами РАН.

Организация кафедры оптоэлектроники явилась началом деятельности Ж.И. Алферова по созданию целостной образовательной структуры. В 1987 г. он создает физико-технический лицей, в 1988 г. — организует физико-технический факультет в Санкт-Петербургском государственном политехническом университете, деканом которого он является. В 2002 г. по инициативе Ж.И. Алферова постановлением президиума РАН создан Академический физико-технологический университет, который в 2006 г. получил статус государственного учреждения высшего профессионального образования. Созданные образовательные и научно-исследовательские структуры в 2009 г. были объединены и получили название Санкт-Петербургский академический университет -научно-образовательный центр нанотехнологий РАН. Входящие в него подразделения размещены в прекрасных зданиях, построенных благодаря усилиям Ж.И. Алферова.

Академик Ж.И. Алферов делает все от него зависящее, чтобы поддержать международный авторитет российской науки. По его предложению президент Российской Федерации своим указом установил международную премию «Глобальная энергия», которая ежегодно присуждается троим российским и иностранным ученым, внесшим выдающийся вклад в развитие энергетики.

По инициативе и под председательством Ж.И. Алферова проводится Санкт-Петербургский научный форум «Наука и общество». В рамках этого форума первая встреча Нобелевских лауреатов «Наука и прогресс человечества» состоялась в год трехсотлетия Санкт-Петербурга. В ней приняли участие 20 Нобелевских лауреатов в области физики, химии, физиологии и медицины, экономики. Начиная с 2008 г. встречи Нобелевских лауреатов стали ежегодными. Форум 2008 г. был посвящен нанотехнологиям. Форум 2009 г. Темой форума были информационные технологии. Тема форума 2010 г. - экономика и социология в XXI веке.

Академик Ж.И. Алферов - крупнейший советский российский ученый, автор более 500 научных трудов, свыше 50 изобретений. Его работы получили мировое признание, вошли в учебники. Труды Ж.И. Алферова отмечены Нобелевской премией, Ленинской и Государственными премиями СССР и России, премией им. А.П. Карпинского (ФРГ), Демидовской премией, премией им. А.Ф. Иоффе и золотой медалью А.С. Попова (РАН), Хьюлетт-Паккардовской премией Европейского физического общества, медалью Стюарта Баллантайна Франклинского института (США), премией Киото (Япония), многими орденами и медалями СССР, России и зарубежных стран.

Жорес Иванович избран пожизненным членом института Б. Франклина и иностранным членом Национальной академии наук и Национальной инженерной академии США, иностранным членом академий наук Беларуси, Украины, Польши, Болгарии и многих других стран. Он является почетным гражданином Санкт-Петербурга, Минска, Витебска и других городов России и зарубежья. Почетным доктором и профессором его избрали ученые советы многих университетов России, Японии, Китая, Швеции, Финляндии, Франции и других стран.

Все эти награды и звания заслуженно увенчали труд не только исследователя, но и организатора науки. Пятнадцать лет Ж.И. Алферов возглавлял прославленный Физико-технический институт А.Ф. Иоффе РАН. Вот уже более двадцати лет Жорес Иванович бессменный председатель Санкт-Петербургского научного центра РАН, главной задачей которого является координация научной деятельности всех петербургских академических институтов. Ж.И. Алферов - вице-президент РАН.

Профессор Быстров Ю.А.

Всемирно известный российский физик Жорес Иванович Алфёров - знаменитый академик, полный кавалер ордена «За заслуги перед Отечеством», лауреат Нобелевской премии.

Алфёров, Жорес Иванович - уроженец г. Витебска республики Беларусь. В 1930 году в семье идейных и последовательных коммунистов родился мальчик, никто не мог предположить, что в будущем он станет знаменитым ученым, имя которого будет связано с большими открытиями в области физики.

Старшего сына родители назвали в честь Карла Маркса, немецкого основателя экономического философского учения - Марксом, к сожалению, жизнь его была короткой, он погиб в юном возрасте на войне, в ожесточенных боях в Корсунь-Шевченковской операции. Младшему сыну досталось имя Жорес, в честь Жореса Жана одного из основателей и идейного руководителя Великой французской революции.

Жизнь семьи была на колесах, отец - «красный директор», направлялся по заданию Партии на важные участки промышленного фронта связанные с обороной страны. В годы войны отец работал в глубоком тылу в Свердловской области, там Жорес успешно закончил семь классов.

В 1945 году вся семья переехала в Минск, который был разрушен в результате сильных бомбежек. Ж.И. Алферов поступил в 42 школу и закончил ее с золотой медалью в 1948 году. Прекрасные знания в области физики, ставшие основой для его дальнейшей ученой деятельности, заложил скромный учитель физики «от бога» Я.Б. Мельцерзон.

Местом дальнейшей учебы была выбрана северная столица. Талантливый юноша без вступительных экзаменов был зачислен студентом первого курса Электротехнического института (г. Ленинград), факультет электронной техники. В 1953 году получив диплом, как перспективный студент, был оставлен работать и заниматься научными исследованиями в стенах института (лаборатория В.М. Тучкевича). С талантливой командой ученых Жорес Иванович занимался разработкой отечественных транзисторов, в наше время они используются во всех электронных приборах. В 1953 года Алферов представил первый надежный доморощенный транзистор и силовые германиевые (Ge),кремниевые (Si) приборы.

В 1961 Ж.И. Алферов защитил кандидатский минимум, который был результатом десятилетних исследований и трудов. В 1970 год, перспективный физик представил на обсуждение и блестяще защитил докторскую диссертацию, в которой все также были представлены исследования по полупроводникам. В 1972 году Алфёрову присвоено профессорское звание, а в 1973 году, он уже заведует кафедрой оптоэлектроники в родном институте, куда пришел учиться робким юношей.

1990-е. сложные для научных и исследовательских работ годы, но Алфёров не перестает заниматься наноэлектроникой, которая в будущем станет основой зонной инженерии. 10 октября 2000 года, Алферов за свою научную деятельность получил признание - ему была вручена Нобелевская премия по физике за исследовательскую работу в области полупроводников. С 2010 года ученому было предложено возглавить инновационный научный центр в Сколково, где будут все возможности для проведения научных экспериментов и опытов в области высоких компьютерных технологий, ядерных и космических отраслях, новых разработок в медицине, микробиологии, биохимии.

За свою длинную научную жизнь Ж.И. Алферов написал сотню трудов, монограмм, статей для научных конференций, журналов, книг. Получил награды в различных странах, отечественные и международные премии. Стал почетным ученым многих научных заведений и представителем международных общественных организаций. Был удостоен Орденом Ленина (1986); Орденом Октябрьской Революции (1980); Орденом Трудового Красного Знамени (1975); Орденом «Знак Почёта» (1959).

Ж.И. Алферов, является полным кавалером ордена «За заслуги перед Отечеством»:

1999 г. Орден «За заслуги перед Отечеством» III с. — за колоссальный вклад в становление и продвижение отечественной науки, и подготовку квалифицированных кадров из среды талантливой молодежи.

2000 г. Орден «За заслуги перед Отечеством» II с. за научные достижения и в сфере образования и воспитания научных кадров.

2005 год - Орден «За заслуги перед Отечеством» I с. — за существенный вклад в развитие и продвижения отечественной науки и результативную общественную деятельность на пользу общества и государства.

2010 г. Орден «За заслуги перед Отечеством» IV с.— за общественную и научную деятельность на благо Отечества.



Жорес Алферов изменил представление о том, что электроника - это прерогатива японцев и американцев. Такой привычный мобильный телефон, интернет по оптическому волокну, светодиоды, батареи, аккумулирующие солнечную энергию - все это благодаря использованию полупроводников полученных кропотливой работой Ж.И. Алферова и его команды ученых. Проигрыватели для компакт дисков и дисководы в компьютерах без «лазера Алферова» просто обычное железо. В наше время ученый работает над созданием современного, сверхскоростного, компактного, компьютера.

Ж.И. Алферов дважды женат. Во втором браке, имеет сына, который к огорчению отца не пошел по его стопам, а занимается бизнесом. У него две дочери родная от первого брака и приемная дочь - ребенок второй жены. Любимое место отдыха с. Комарово, дача на берегу Финского Залива.

Кавалеры ордена За заслуги перед Отечеством 1 степени.

– 1978 г.). И вот – успех Алфёрова.

Правда, и тут не обошлось не то чтобы без ложки дегтя, но не без маленькой психологической занозы: приз в 1 млн долларов Жорес Иванович в паре с Хербертом Кроемером разделит пополам с Джеком Килби. По решению Нобелевского комитета Алфёров и Килби удостоены Нобелевской премии (одной на двоих) за «работы по получению полупроводниковых структур, которые могут быть использованы для сверхбыстрых компьютеров». (Любопытно, что так же пришлось поделить Нобелевскую премию по физике за 1958 г. между советскими физиками Павлом Черенковым и Ильей Франком и за 1964 г. – между опять-таки советскими физиками Александром Прохоровым и Николаем Басовым.) Еще один американец, сотрудник корпорации «Техас Инструментс» Джек Килби, удостоен награды за работы в области интегральных схем.

Итак, кто же он, новый российский нобелевский лауреат?

Жорес Иванович Алфёров родился в белорусском городе Витебске. После 1935 года семья переехала на Урал. В г. Туринске А. учился в школе с пятого по восьмой классы. 9 мая 1945 года его отец, Иван Карпович Алфёров, получил назначение в Минск, где А. окончил мужскую среднюю школу №42 с золотой медалью. Он стал студентом факультета электронной техники (ФЭТ) Ленинградского электротехнического института (ЛЭТИ) им. В.И. Ульянова по совету школьного учителя физики, Якова Борисовича Мельцерзона.

На третьем курсе А. пошел работать в вакуумную лабораторию профессора Б.П. Козырева. Там он начал экспериментальную работу под руководством Наталии Николаевны Созиной. Со студенческих лет А. привлекал к участию в научных исследованиях других студентов. Так, в 1950 году полупроводники стали главным делом его жизни.

В 1953 году, после окончания ЛЭТИ, А. был принят на работу в Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе в лабораторию В.М. Тучкевича. В первой половине 50-х годов перед институтом была поставлена задача создать отечественные полупроводниковые приборы для внедрения в отечественную промышленность. Перед лабораторией стояла задача: получение монокристаллов чистого германия и создание на его основе плоскостных диодов и триодов. При участии А. были разработаны первые отечественные транзисторы и силовые германиевые приборы За комплекс проведенных работ в 1959 году А. получил первую правительственную награду, им была защищена кандидатская диссертация, подводившая черту под десятилетней работой.

После этого перед Ж.И. Алфёровым встал вопрос о выборе дальнейшего направления исследований. Накопленный опыт позволял ему перейти к разработке собственной темы. В те годы была высказана идея использования в полупроводниковой технике гетеропереходов. Создание совершенных структур на их основе могло привести к качественному скачку в физике и технике.

В то время во многих журнальных публикациях и на различных научных конференциях неоднократно говорилось о бесперспективности проведения работ в этом направлении, т.к. многочисленные попытки реализовать приборы на гетеропереходах не приходили к практическим результатам. Причина неудач крылась в трудности создания близкого к идеальному перехода, выявлении и получении необходимых гетеропар.

Но это не остановило Жореса Ивановича. В основу технологических исследований им были положены эпитаксиальные методы, позволяющие управлять такими фундаментальными параметрами полупроводника, как ширина запрещенной зоны, величина электронного сродства, эффективная масса носителей тока, показатель преломления и т.д. внутри единого монокристалла.

Для идеального гетероперехода подходили GaAs и AlAs, но последний почти мгновенно на воздухе окислялся. Значит, следовало подобрать другого партнера. И он нашелся тут же, в институте, в лаборатории, возглавляемой Н.А. Горюновой. Им оказалось тройное соединение AIGaAs. Так определилась широко известная теперь в мире микроэлектроники гетеропара GaAs/AIGaAs. Ж.И. Алфёров с сотрудниками не только создали в системе AlAs – GaAs гетероструктуры, близкие по своим свойствам к идеальной модели, но и первый в мире полупроводниковый гетеролазер, работающий в непрерывном режиме при комнатной температуре.

Открытие Ж.И. Алфёровым идеальных гетеропереходов и новых физических явлений – «суперинжекции», электронного и оптического ограничения в гетероструктурах – позволило также кардинально улучшить параметры большинства известных полупроводниковых приборов и создать принципиально новые, особенно перспективные для применения в оптической и квантовой электронике. Новый этап исследований гетеропереходов в полупроводниках Жорес Иванович обобщил в докторской диссертации, которую успешно защитил 1970 году.

Работы Ж.И. Алфёрова были по заслугам оценены международной и отечественной наукой. В 1971 году Франклиновский институт (США) присуждает ему престижную медаль Баллантайна, называемую «малой Нобелевской премией» и учрежденную для награждения за лучшие работы в области физики. Затем следует самая высокая награда СССР – Ленинская премия (1972 год).

С использованием разработанной Ж.И. Алфёровым в 70-х годах технологии высокоэффективных, радиационностойких солнечных элементов на основе AIGaAs/GaAs гетероструктур в России (впервые в мире) было организовано крупномасштабное производство гетероструктурных солнечных элементов для космических батарей. Одна из них, установленная в 1986 году на космической станции «Мир», проработала на орбите весь срок эксплуатации без существенного снижения мощности.

На основе предложенных в 1970 году Ж.И. Алфёровым и его сотрудниками идеальных переходов в многокомпонентных соединениях InGaAsP созданы полупроводниковые лазеры, работающие в существенно более широкой спектральной области, чем лазеры в системе AIGaAs. Они нашли широкое применение в качестве источников излучения в волоконно-оптических линиях связи повышенной дальности.

В начале 90-х годов одним из основных направлений работ, проводимых под руководством Ж.И. Алфёрова, становится получение и исследование свойств наноструктур пониженной размерности: квантовых проволок и квантовых точек.

В 1993...1994 годах впервые в мире реализуются гетеролазеры на основе структур с квантовыми точками – «искусственными атомами». В 1995 году Ж.И. Алфёров со своими сотрудниками впервые демонстрирует инжекционный гетеролазер на квантовых точках, работающий в непрерывном режиме при комнатной температуре. Принципиально важным стало расширение спектрального диапазона лазеров с использованием квантовых точек на подложках GaAs. Таким образом, исследования Ж.И. Алфёрова заложили основы принципиально новой электроники на основе гетероструктур с очень широким диапазоном применения, известной сегодня как «зонная инженерия».

Награда нашла героя

В одном из своих многочисленных интервью (1984 год) на вопрос корреспондента: «По слухам, Вы нынче были представлены к Нобелевской премии. Не обидно, что не получили?» Жорес Иванович ответил: «Слышал, что представляли уже не раз. Практика показывает – либо ее дают стразу после открытия (в моем случае это середина 70-х годов), либо уже в глубокой старости. Так было с П.Л. Капицей. Значит, у меня еще все впереди».

Здесь Жорес Иванович ошибся. Как говорится, награда нашла героя раньше наступления глубокой старости. 10 октября 2000 года по всем программам российского телевидения сообщили о присуждении Ж.И. Алфёрову Нобелевской премии по физике за 2000 год.

Современные информационные системы должны отвечать двум простым, но основополагающим требованиям: быть быстрыми, чтобы большой объем информации, можно было передать за короткий промежуток времени, и компактными, чтобы уместиться в офисе, дома, в портфеле или кармане.

Своими открытиями Нобелевские лауреаты по физике за 2000 год создали основу такой современной техники. Жорес И. Алфёров и Герберт Кремер открыли и развили быстрые опто- и микроэлектронные компоненты, которые создаются на базе многослойных полупроводниковых гетероструктур.

Гетеролазеры передают, а гетероприемники принимают информационные потоки по волоконно-оптическим линиям связи. Гетеролазеры можно обнаружить также в проигрывателях CD-дисков, устройствах, декодирующих товарные ярлыки, в лазерных указках и во многих других приборах.

На основе гетероструктур созданы мощные высокоэффективные светоизлучающие диоды, используемые в дисплеях, лампах тормозного освещения в автомобилях и светофорах. В гетероструктурных солнечных батареях, которые широко используются в космической и наземной энергетике, достигнуты рекордные эффективности преобразования солнечной энергии в электрическую.

Джек Килби награжден за свой вклад в открытие и развитие интегральных микросхем, благодаря чему стала быстро развиваться микроэлектроника, являющаяся – наряду с оптоэлектроникой – основой всей современной техники.

Учитель, воспитай ученика...

В 1973 году А., при поддержке ректора ЛЭТИ А.А. Вавилова, организовал базовую кафедру оптоэлектроники (ЭО) на факультете электронной техники Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе.

В невероятно сжатые сроки Ж.И. Алфёров совестно с Б.П. Захарченей и другими учеными Физтеха разработал учебный план подготовки инженеров по новой кафедре. Он предусматривал обучение студентов первого и второго курсов в стенах ЛЭТИ, поскольку уровень физико-математической подготовки на ФЭТ был высоким и создавал хороший фундамент для изучения специальных дисциплин, которые, начиная с третьего курса, читались учеными Физтеха на его территории. Там же с использованием новейшего технологического и аналитического оборудования выполнялись лабораторные практикумы, а также курсовые и дипломные проекты под руководством преподавателей базовой кафедры.

Прием студентов на первый курс в количестве 25 человек осуществлялся через вступительные экзамены, а комплектование групп второго и третьего курсов для обучения по кафедре ОЭ проходило из студентов, обучавшихся на ФЭТ и на кафедре диэлектриков и полупроводников Электрофизического факультета. Комиссию по отбору студентов возглавлял Жорес Иванович. Из примерно 250 студентов, обучавшихся на каждом курсе, было отобрано по 25 лучших. 15 сентября 1973 года начались занятия студентов вторых и третьих курсов. Для этого был подобран прекрасный профессорско-преподавательский состав.

Ж.И. Алфёров очень большое внимание уделял и уделяет формированию контингента студентов первого курса. По его инициативе в первые годы работы кафедры в период весенних школьных каникул проводились ежегодные школы «Физика и жизнь». Ее слушателями были учащиеся выпускных классов школ Ленинграда. По рекомендации учителей физики и математики наиболее одаренным школьникам вручались приглашения принять участие в работе этой школы. Таким образом набиралась группа в количестве 30...40 человек. Они размещались в институтском пионерском лагере «Звездный». Все расходы, связанны с проживанием, питанием и обслуживанием школьников, наш вуз брал на себя.

На открытие школы приезжали все ее лекторы во главе с Ж.И. Алфёровым. Все проходило и торжественно, и очень по-домашнему. Первую лекцию читал Жорес Иванович. Он так увлекательно говорил о физике, электронике, гетероструктурах, что все его слушали как завороженные. Но и после лекции не прекращалось общение Ж.И. Алфёрова с ребятами. Окруженный ими, он ходил по территории лагеря, играл в снежки, дурачился. Насколько не формально он относился к этому «мероприятию», говорит тот факт, что в эти поездки Жорес Иванович брал свою жену Тамару Георгиевну и сына Ваню...

Результаты работы школы не замедлили сказаться. В 1977 году состоялся первый выпуск инженеров по кафедре ОЭ, количество выпускников, получивших дипломы с отличием, на факультете удвоилось. Одна группа студентов этой кафедры дала столько же «красных» дипломов, сколько остальные семь групп.

В 1988 году Ж.И. Алфёров организовал в Политехническом институте физико-технический факультет.

Следующим логическим шагом стало объединение этих структур под одной крышей. К реализации данной идеи Ж.И. Алфёров приступил еще в начале 90-х годов. При этом он не просто строил здание Научно-образовательного центра, он закладывал фундамент будущего возрождения страны... И вот первого сентября 1999 года здание Научно-образовательного центра (НОЦ) вступило в строй.

На том стоит и стоять будет русская земля...

Алфёров всегда остается самим собой. В общении с министрами и студентами, директорами предприятий и простыми людьми он одинаково ровен. Не подстраивается под первых, не возвышается над вторыми, но всегда с убежденностью отстаивает свою точку зрения.

Ж.И. Алфёров всегда занят. Его рабочий график расписан на месяц вперед, а недельный рабочий цикл таков: утро понедельника – Физтех (он его директор), вторая половина дня – Санкт-Петербургский научный центр (он председатель); вторник, среда и четверг – Москва (он член Государственной думы и вице-президент РАН, к тому же нужно решать многочисленные вопросы в министерствах) или Санкт-Петербург (тоже вопросов выше головы); утро пятницы – Физтех, вторая половина дня – Научно-образовательный центр (директор). Это только крупные штрихи, а между ними – научная работа, руководство кафедрой ОЭ в ЭТУ и физико-техническим факультетом в ТУ, чтение лекций, участие в конференциях. Всего не перечесть!

Наш лауреат прекрасный лектор и рассказчик. Неслучайно все информационные агентства мира отметили именно Алфёровскую Нобелевскую лекцию, которую он прочитал на английском языке без конспекта и с присущим ему блеском.

При вручении Нобелевских премий существует традиция, когда на банкете, который устраивает король Швеции в честь Нобелевских лауреатов (на нем присутствуют свыше тысячи гостей), представляется слово только одному лауреату от каждой «номинации». В 2000 году Нобелевской премии по физике были удостоены три человека: Ж.И. Алфёров, Герберт Кремер и Джек Килби. Так вот двое последних уговорили Жореса Ивановича выступить на этом банкете. И он эту просьбу выполнил блестяще, в своем слове удачно обыграв нашу российскую привычку делать «одно любимое дело» на троих.

В своей книге «Физика и жизнь» Ж.И. Алфёров, в частности, пишет: «Все, что создано человечеством, создано благодаря науке. И если уж суждено нашей стране быть великой державой, то она ею будет не благодаря ядерному оружию или западным инвестициям, не благодаря вере в Бога или Президента, а благодаря труду ее народа, вере в знание, в науку, благодаря сохранению и развитию научного потенциала и образования.

Десятилетним мальчиком я прочитал замечательную книгу Вениамина Каверина «Два капитана». И всю последующую жизнь я следовал принципу ее главного героя Сани Григорьева: «Бороться и искать, найти и не сдаваться». Правда, очень важно при этом понимать, за что ты берешься».